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NTGS5120P
TYPICAL CHARACTERISTICS
1300
1200
1100
1000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
9.0
8.0
Qt
900
7.0
0 C rss
800
700
600
500
400
200
100
0
300 C oss
10
20
30
40
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
Q gs
2.0
Q gd
4.0
6.0
8.0
10
12
T J = 25 ° C
I D = ? 2.9 A
Vds = ? 30 V
14 16
18
1000
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
1.4
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
100
V DD = ? 30 V
I D = ? 1.0 A
V GS = ? 10 V
t d(off)
1.2
1.0
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t f
t d(on)
0.8
0.6
10
t r
0.4
0.2
1.0
1.0
10
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
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